对比图
型号 SI3454ADV-T1-E3 SI3456DDV-T1-GE3
描述 MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorVISHAY SI3456DDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 1.2 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 TSOP TSOP-6
针脚数 - 6
漏源极电阻 0.048 Ω 0.033 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 2 W 1.7 W
阈值电压 3 V 1.2 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
上升时间 10 ns 13 ns
下降时间 7 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
漏源击穿电压 30 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 3.40 A -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1.14 W -
封装 TSOP TSOP-6
长度 3.05 mm -
宽度 1.65 mm -
高度 1 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99