SI3456BDV-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI3456BDV-T1-E3概述

VISHAY SI3456BDV-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V VBRDSS

* Halogen free According to IEC 61249-2-21 Definition * TrenchFET® Power MOSFET * 100 % Rg Tested * Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

e络盟:
VISHAY SI3456BDV-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V VBRDSS

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R

Allied Electronics:
N-CHANNEL 30-V D-S MOSFET

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R

SI3456BDV-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 35 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 700 mW

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

上升时间 15 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6

外形尺寸

长度 3.1 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3456BDV-T1-E3

型号： SI3456BDV-T1-E3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SI3456BDV-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V VBRDSS

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