对比图
型号 SI3456BDV-T1-E3 SI3456DDV-T1-GE3
描述 VISHAY SI3456BDV-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V V(BR)DSSVISHAY SI3456DDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 1.2 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 TSOP-6 TSOP-6
针脚数 6 6
漏源极电阻 35 mΩ 0.033 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 700 mW 1.7 W
阈值电压 3 V 1.2 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
上升时间 15 ns 13 ns
下降时间 10 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
连续漏极电流(Ids) 6.00 A -
工作温度(Min) -55 ℃ -
封装 TSOP-6 TSOP-6
长度 3.1 mm -
高度 1 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99