SI4446DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4446DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.033 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.1 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 5.20 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4446DY-T1-E3

型号： SI4446DY-T1-E3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：MOSFET 40V 5.2A 3W 40mohm @ 10V

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