SI3867DV-T1-E3

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SI3867DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.041 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.1 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -5.10 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI3867DV-T1-E3
型号: SI3867DV-T1-E3
描述:VISHAY  SI3867DV-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.9 A, -20 V, 0.041 ohm, -2.5 V, -1.4 V
替代型号SI3867DV-T1-E3
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