SI3443CDV-T1-GE3和SI3867DV-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI3443CDV-T1-GE3 SI3867DV-T1-E3 NTGS3443T1G

描述 VISHAY  SI3443CDV-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.97 A, -20 V, 50 mohm, -4.5 V, -600 mVVISHAY  SI3867DV-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.9 A, -20 V, 0.041 ohm, -2.5 V, -1.4 VON SEMICONDUCTOR  NTGS3443T1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 3.1 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -950 mV

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOP TSOP SOT-23-6

额定电压(DC) - - -20.0 V

额定电流 - - -2.00 A

针脚数 6 6 6

漏源极电阻 0.05 Ω 0.041 Ω 0.058 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 3.2 W 1.1 W 2 W

输入电容 - - 565 pF

漏源极电压(Vds) 20 V -20.0 V 20 V

栅源击穿电压 - - ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) -4.70 A, 3.90 A -5.10 A 2.00 A

上升时间 - - 45 ns

输入电容(Ciss) 610pF @10V(Vds) - 565pF @5V(Vds)

额定功率(Max) - - 500 mW

下降时间 - - 50 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW - 500mW (Ta)

长度 - - 3.1 mm

高度 1 mm - 1 mm

封装 TSOP TSOP SOT-23-6

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 - - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2016/06/20

ECCN代码 - - EAR99

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