SI4831DY-T1-E3

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SI4831DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 45.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 2.00 W

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids -5.00 A to 5.00 A

封装参数

封装 SO

外形尺寸

封装 SO

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4831DY-T1-E3
型号: SI4831DY-T1-E3
描述:Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8Pin SOIC N T/R

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