SI7366DP-T1-GE3

SI7366DP-T1-GE3图片1
SI7366DP-T1-GE3图片2
SI7366DP-T1-GE3图片3
SI7366DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 9 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.7 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI7366DP-T1-GE3
型号: SI7366DP-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7366DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 20V, 20A, SOIC, 整卷
替代型号SI7366DP-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI7366DP-T1-GE3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

SIR424DP-T1-GE3

威世

功能相似

SI7366DP-T1-GE3和SIR424DP-T1-GE3的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司