对比图
型号 SI7366DP-T1-GE3 SIR424DP-T1-GE3
描述 VISHAY SI7366DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 20V, 20A, SOIC, 整卷N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC PowerPAKSO-8
针脚数 8 -
漏源极电阻 9 mΩ 0.0046 Ω
极性 N-Channel -
耗散功率 1.7 W 41.7 W
阈值电压 3 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 20.0 A -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
输入电容(Ciss) - 1250pF @10V(Vds)
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 41.7 W
封装 SOIC PowerPAKSO-8
长度 - 6.25 mm
宽度 - 5.26 mm
高度 - 1.12 mm
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
包装方式 - Tape & Reel (TR)