VISHAY SUD08P06-155L-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.4 A, -60 V, 0.125 ohm, -10 V, -2 V
**Features:
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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition
* TrenchFET® Power MOSFET: 1.8 V Rated
* Ultra Low On-Resistance for Increased Battery Life
* New PowerPAK® Package - Low Thermal Resistance, RthJC - Low 1.07 mm Profile
* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
**Applications:
**
* Load/Power Switching in Portable Devices
e络盟:
VISHAY SUD08P06-155L-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.4 A, -60 V, 0.125 ohm, -10 V, -2 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 8.4A 3-Pin2+Tab DPAK
Allied Electronics:
MOSFET, P-Ch, Vds -60V, Vgs +/- 20V, Rdson 28mohm, Id -8.4A, TO-263, Pd 2W
Newark:
# VISHAY SUD08P06-155L-E3 MOSFET Transistor, P Channel, -8.4 A, -60 V, 0.125 ohm, -10 V, -2 V
针脚数 3
漏源极电阻 0.125 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 25 W
漏源极电压Vds -60.0 V
连续漏极电流Ids -8.40 A
上升时间 14.0 ns
下降时间 7 nS
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
长度 6.73 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SUD08P06-155L-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SPD18P06PGBTMA1 英飞凌 | 功能相似 | SUD08P06-155L-E3和SPD18P06PGBTMA1的区别 |