SI5435BDC-T1-GE3

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SI5435BDC-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.035 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.3 W

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -5.90 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 1.6 mm

封装公制 3216

封装 1206

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5435BDC-T1-GE3
型号: SI5435BDC-T1-GE3
描述:VISHAY  SI5435BDC-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 5.9A, 1206
替代型号SI5435BDC-T1-GE3
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