SI2303BDS-T1-GE3

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SI2303BDS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 200 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 700 mW

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -1.49 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI2303BDS-T1-GE3
描述:VISHAY  SI2303BDS-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -1.49A, -30V, 700mW
替代型号SI2303BDS-T1-GE3
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