SIE848DF-T1-GE3

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SIE848DF-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0013 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 10

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SIE848DF-T1-GE3
型号: SIE848DF-T1-GE3
描述:N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFET
替代型号SIE848DF-T1-GE3
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