SI7658ADP-T1-GE3和SIE848DF-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI7658ADP-T1-GE3 SIE848DF-T1-GE3 IRFH5301TRPBF

描述 VISHAY  SI7658ADP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2.5 VN通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFETINFINEON  IRFH5301TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 V 新

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 8 10 8

封装 PowerPAK SO - PowerVDFN-8

安装方式 - - Surface Mount

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.0018 Ω 0.0013 Ω 0.00155 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 5.4 W 125 W 110 W

阈值电压 2.5 V 1.8 V 1.8 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 60.0 A - 35.0 A, 100 A

上升时间 18 ns - 78 ns

下降时间 30 ns - 23 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定功率 - - 3.6 W

通道数 - - 1

产品系列 - - IRFH5301

输入电容 - - 5114 pF

输入电容(Ciss) - - 5114pF @15V(Vds)

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 110 W

封装 PowerPAK SO - PowerVDFN-8

长度 - - 6 mm

宽度 - - 5 mm

高度 - - 0.85 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

产品生命周期 - - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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