SI4462DY-T1-GE3

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SI4462DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 480 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.3 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 1.50 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI4462DY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4462DY-T1-GE3  晶体管, N沟道

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