SUD35N05-26L-E3

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SUD35N05-26L-E3概述

MOSFET N-Ch, Vds 55V, Vgs +/- 20V, Rdson 26mohm, Id 35A, TO-252, Pd 7.5W

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 35A 3-Pin2+Tab DPAK


Allied Electronics:
MOSFET N-Ch, Vds 55V, Vgs +/- 20V, Rdson 26mohm, Id 35A, TO-252, Pd 7.5W


SUD35N05-26L-E3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

漏源极电阻 0.035 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

输入电容 885pF @25V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

长度 6.73 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUD35N05-26L-E3
型号: SUD35N05-26L-E3
描述:MOSFET N-Ch, Vds 55V, Vgs +/- 20V, Rdson 26mohm, Id 35A, TO-252, Pd 7.5W

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