SI4401DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4401DY-T1-E3概述

VISHAY SI4401DY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -10.5 A, -40 V, 0.013 ohm, -10 V, -1 V

The is a 40VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

.: -55 to 150°C Operating temperature range

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R

安富利:
Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R

Newark:
# VISHAY SI4401DY-T1-E3 MOSFET Transistor, P Channel, -10.5 A, -40 V, 0.013 ohm, -10 V, -1 V

SI4401DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.013 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds -40.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids -10.5 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4401DY-T1-E3

型号： SI4401DY-T1-E3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SI4401DY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -10.5 A, -40 V, 0.013 ohm, -10 V, -1 V

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