SI4412ADY-T1-E3

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SI4412ADY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 20.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.50 W

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

封装参数

封装 SO

外形尺寸

封装 SO

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4412ADY-T1-E3
型号: SI4412ADY-T1-E3
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8Pin SOIC N T/R

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