SI4752DY-T1-GE3

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SI4752DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0045 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4752DY-T1-GE3
型号: SI4752DY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4752DY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 4500 µohm, 10 V, 1 V
替代型号SI4752DY-T1-GE3
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