SIR814DP-T1-GE3

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SIR814DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0017 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 40 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SIR814DP-T1-GE3
描述:N沟道40 V (D -S )的MOSFET N-Channel 40 V D-S MOSFET
替代型号SIR814DP-T1-GE3
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