漏源极电阻 0.0017 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 40 V
工作温度Max 150 ℃
引脚数 8
封装 SOIC
RoHS标准 RoHS Compliant
数据手册
SIR814DP-T1-GE3
Vishay Semiconductor 威世
当前型号
SIR470DP-T1-GE3
威世
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