对比图
型号 SIR470DP-T1-GE3 SIR814DP-T1-GE3 IRLH5034TR2PBF
描述 VISHAY SIR470DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 2.5 VN沟道40 V （D -S ）的MOSFET N-Channel 40 V (D-S) MOSFETINFINEON IRLH5034TR2PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 40 V, 2 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 8 8 8
封装 PowerPAK SO SOIC PowerVDFN-8
安装方式 - - Surface Mount
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.0019 Ω 0.0017 Ω 0.002 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 104 W 104 W 3.6 W
阈值电压 1 V 1 V 1 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 60.0 A - 29A
上升时间 31 ns - 54 ns
输入电容(Ciss) 5660pF @20V(Vds) - 4730pF @25V(Vds)
下降时间 39 ns - 21 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 6250 mW - 3.6W (Ta), 156W (Tc)
高度 1.04 mm - 0.83 mm
封装 PowerPAK SO SOIC PowerVDFN-8
长度 - - 6 mm
宽度 - - 5 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
产品生命周期 - - Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17