STB200NF04-1

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STB200NF04-1概述

N沟道40V - 120 ​​A - 3.3毫欧TO- 220 / D2PAK / I2PAK STripFETII MOSFET N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 mOHM TO-220/D2PAK/I2PAK STripFETII MOSFET

N-Channel 40V 120A Tc 310W Tc Through Hole I2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK


STB200NF04-1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 120 A

极性 N-CH

耗散功率 310W Tc

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 120 A

上升时间 320 ns

输入电容Ciss 5100pF @25VVds

额定功率Max 310 W

耗散功率Max 310W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买STB200NF04-1
型号: STB200NF04-1
描述:N沟道40V - 120 ​​A - 3.3毫欧TO- 220 / D2PAK / I2PAK STripFETII MOSFET N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 mOHM TO-220/D2PAK/I2PAK STripFETII MOSFET
替代型号STB200NF04-1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STB200NF04-1

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

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意法半导体

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