STB200NF04-1和STP200NF04L

对比图

型号 STB200NF04-1 STP200NF04L

描述 N沟道40V - 120 ​​A - 3.3毫欧TO- 220 / D2PAK / I2PAK STripFETII MOSFET N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 mOHM TO-220/D2PAK/I2PAK STripFETII MOSFETN沟道40V - 3兆欧姆 - 120 ​​A TO - 220 / D2PAK / I2PAK的STripFET II MOSFET N-CHANNEL 40V - 3 m ohm - 120 A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II MOSFET

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-262-3 TO-220-3

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V

额定电流 120 A 120 A

漏源极电阻 - 3.00 mΩ

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 310W (Tc) 300 W

输入电容 - 6.40 nF

栅电荷 - 72.0 nC

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

漏源击穿电压 - 40.0 V

栅源击穿电压 - ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) 120 A 120 A

上升时间 320 ns 270 ns

输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 6400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 310 W 300 W

下降时间 - 80 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 310W (Tc) 300W (Tc)

长度 - 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm

高度 - 9.15 mm

封装 TO-262-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free