STP30N20概述
MOSFET N-CH 200V 30A TO-220
N-Channel 200V 30A Tc 125W Tc Through Hole TO-220AB
得捷:
MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 30A TO-220
STP30N20中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 30.0 A
漏源极电阻 65.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 125W Tc
输入电容 1.60 nF
栅电荷 38.0 nC
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 15.7 ns
输入电容Ciss 1597pF @25VVds
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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