STI15NM60N参数规格_中文资料_数据手册PDF

STI15NM60N概述

N沟道600V - 0.270ヘ - 14A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

通孔 N 通道 14A（Tc） 125W（Tc） I2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 600V 14A I2PAK

贸泽:
MOSFET N Ch 600V 0.270 ohm 14A

STI15NM60N中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 125 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 1250pF @50VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 8.95 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STI15NM60N

型号： STI15NM60N

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道600V - 0.270ヘ - 14A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

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替代型号STI15NM60N

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