对比图
型号 STB15NM60ND STI15NM60N STB15NM60N
描述 N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道600V - 0.270ヘ - 14A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFETN沟道600V - 0.270ヘ - 14A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-263-3
耗散功率 125 W 125 W 125 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
上升时间 20 ns 14 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 1250pF @50V(Vds) 1250pF @50V(Vds) 1250pF @50V(Vds)
下降时间 28 ns 30 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) 125W (Tc)
通道数 1 - -
漏源极电阻 0.27 Ω - -
极性 N-Channel - -
阈值电压 4 V - -
漏源击穿电压 600 V - -
连续漏极电流(Ids) 14A - -
额定功率(Max) 125 W - -
长度 10.75 mm 10 mm 10.4 mm
宽度 10.4 mm 4.4 mm 9.35 mm
高度 4.6 mm 8.95 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-263-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -