STF19NM65N参数规格_中文资料_数据手册PDF

STF19NM65N概述

N沟道650 V - 0.25 Ω - 15.5 - TO- 220 / FP -D2 / I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

N-Channel 650V 15.5A Tc 35W Tc TO-220FP

得捷:
MOSFET N-CH 650V 15.5A TO220FP

贸泽:
MOSFET N-Channel 650V 0.25 Ohms 15.5A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 15.5A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube

Win Source:
N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh Power MOSFET

STF19NM65N中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 270 mΩ

耗散功率 35 W

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 1900pF @50VVds

下降时间 26 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STF19NM65N

型号： STF19NM65N

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道650 V - 0.25 Ω - 15.5 - TO- 220 / FP -D2 / I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

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