对比图
型号 STF19NM65N TK16A60W5 IXFC30N60P
描述 N沟道650 V - 0.25 Ω - 15.5 - TO- 220 / FP -D2 / I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFETTO-220SIS N-CH 600V 15.8ATrans MOSFET N-CH 600V 15A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 220
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 SC-67 ISOPLUS-220
引脚数 3 - 3
极性 - N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - 15.8A 15.0 A
输入电容(Ciss) 1900pF @50V(Vds) 1350pF @300V(Vds) 3820pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 40 W 166 W
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 30.0 A
漏源极电阻 270 mΩ - 250 mΩ
耗散功率 35 W - 166W (Tc)
输入电容 - - 3.82 nF
栅电荷 - - 85.0 nC
漏源击穿电压 650 V - 600 V
上升时间 8 ns - 20 ns
下降时间 26 ns - 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 35W (Tc) - 166W (Tc)
通道数 1 - -
封装 TO-220-3 SC-67 ISOPLUS-220
长度 10.4 mm - -
宽度 4.6 mm - -
高度 9.3 mm - -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active End of Life
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free