SPI10N10

SPI10N10图片1
SPI10N10概述

SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

通孔 N 通道 10.3A(Tc) 50W(Tc) PG-TO262-3-1


得捷:
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO262-3


SPI10N10中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 10.3 A

极性 N-CH

耗散功率 50W Tc

输入电容 426 pF

栅电荷 19.4 nC

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 10.3 A

输入电容Ciss 426pF @25VVds

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3-1

外形尺寸

封装 TO-262-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SPI10N10
描述:SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

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