SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
通孔 N 通道 10.3A(Tc) 50W(Tc) PG-TO262-3-1
得捷: MOSFET N-CH 100V 10.3A TO262-3
额定电压DC 100 V
额定电流 10.3 A
极性 N-CH
耗散功率 50W Tc
输入电容 426 pF
栅电荷 19.4 nC
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 10.3 A
输入电容Ciss 426pF @25VVds
耗散功率Max 50W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3-1
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册