的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
表面贴装型 N 通道 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
得捷:
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Win Source:
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
额定电压DC 75.0 V
额定电流 80.0 A
极性 N-CH
耗散功率 300W Tc
输入电容 6.82 nF
栅电荷 233 nC
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 6130pF @25VVds
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3-2
封装 TO-263-3-2
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPB80N08S2-07 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
STB75NF75T4 意法半导体 | 功能相似 | SPB80N08S2-07和STB75NF75T4的区别 |
STB76NF75 意法半导体 | 功能相似 | SPB80N08S2-07和STB76NF75的区别 |