的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
N-Channel 55V 80A Tc 300W Tc Through Hole PG-TO262-3-1
得捷: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Win Source: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
额定电压DC 55.0 V
额定电流 80.0 A
极性 N-CH
耗散功率 300W Tc
输入电容 7.53 nF
栅电荷 230 nC
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 7530pF @25VVds
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3-1
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
数据手册