SPI80N08S2-07R概述
的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
N-Channel 75V 80A Tc 300W Tc Through Hole PG-TO262-3-1
得捷:
MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
SPI80N08S2-07R中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 75.0 V
额定电流 80.0 A
极性 N-CH
耗散功率 300W Tc
输入电容 5.83 nF
栅电荷 185 nC
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 5830pF @25VVds
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3-1
外形尺寸
封装 TO-262-3-1
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
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