SI1922EDH-T1-GE3

SI1922EDH-T1-GE3图片1
SI1922EDH-T1-GE3图片2
SI1922EDH-T1-GE3图片3
SI1922EDH-T1-GE3图片4
SI1922EDH-T1-GE3图片5
SI1922EDH-T1-GE3图片6
SI1922EDH-T1-GE3图片7
SI1922EDH-T1-GE3图片8
SI1922EDH-T1-GE3概述

VISHAY  SI1922EDH-T1-GE3  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20V

The is a dual N-channel MOSFET intended for small to medium load applications where a miniaturized package is required. It is compatible with load switch for portable applications.

.
Halogen-free
.
ESD protected device

欧时:
### 双 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


e络盟:
VISHAY  SI1922EDH-T1-GE3  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R


富昌:
双 N 沟道 20 V 198 mOhm 1.25 W 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-363


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R


Newark:
# VISHAY  SI1922EDH-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 1.3 A, 20 V, 0.165 ohm, 4.5 V, 400 mV


SI1922EDH-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.165 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 1.25 W

阈值电压 400 mV

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.25 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-363

其他

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Industrial, Power Management, Portable Devices

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI1922EDH-T1-GE3
型号: SI1922EDH-T1-GE3
描述:VISHAY  SI1922EDH-T1-GE3  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20V
替代型号SI1922EDH-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI1922EDH-T1-GE3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

SI1912EDH-T1-E3

威世

类似代替

SI1922EDH-T1-GE3和SI1912EDH-T1-E3的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台