VISHAY SI1922EDH-T1-GE3 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20V
The is a dual N-channel MOSFET intended for small to medium load applications where a miniaturized package is required. It is compatible with load switch for portable applications.
欧时:
### 双 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
e络盟:
VISHAY SI1922EDH-T1-GE3 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
富昌:
双 N 沟道 20 V 198 mOhm 1.25 W 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-363
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
Newark:
# VISHAY SI1922EDH-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 1.3 A, 20 V, 0.165 ohm, 4.5 V, 400 mV
针脚数 6
漏源极电阻 0.165 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 1.25 W
阈值电压 400 mV
漏源极电压Vds 20 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.25 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, Power Management, Portable Devices
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SI1922EDH-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI1912EDH-T1-E3 威世 | 类似代替 | SI1922EDH-T1-GE3和SI1912EDH-T1-E3的区别 |