对比图
型号 SI1912EDH-T1-E3 SI1922EDH-T1-GE3 PMGD280UN,115
描述 VISHAY SI1912EDH-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.13 A, 20 V, 0.22 ohm, 4.5 V, 450 mVVISHAY SI1922EDH-T1-GE3 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20VNXP PMGD280UN,115 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 20 V, 0.28 ohm, 4.5 V, 700 mV
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SOT-363 SOT-363 SOT-323-6
针脚数 6 6 6
漏源极电阻 0.22 Ω 0.165 Ω 0.28 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel Dual N-Channel
耗散功率 570 mW 1.25 W 400 mW
阈值电压 450 mV 400 mV 700 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
漏源击穿电压 20.0 V - -
栅源击穿电压 ±12.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 1.28 A - 870 mA
上升时间 85 ns - 10 ns
下降时间 210 ns - 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 1.25 W 0.4 W
通道数 - - 2
输入电容(Ciss) - - 45pF @20V(Vds)
额定功率(Max) - - 400 mW
长度 2.05 mm 2.2 mm 2.2 mm
宽度 1.25 mm 1.35 mm 1.35 mm
高度 0.9 mm 1 mm 1 mm
封装 SOT-363 SOT-363 SOT-323-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 - - Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17