VISHAY SI1902DL-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 20 V, 0.32 ohm, 4.5 V, 1.5 V
The is a dual N-channel MOSFET intended for small-signal applications where a miniaturized package is needed and low levels of current around 250mA need to be switched, either directly or by using a level shift configuration. It offers improved ON-resistance value and enhanced thermal performance.
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- ±12V Gate to source voltage
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- 1A Pulsed drain current
针脚数 6
漏源极电阻 0.32 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 200 mW
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 660 mA
上升时间 16 ns
热阻 400℃/W RθJA
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 270 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70
长度 2.2 mm
高度 1 mm
封装 SC-70
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI1902DL-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
FDG6317NZ 飞兆/仙童 | 功能相似 | SI1902DL-T1-E3和FDG6317NZ的区别 |
PMGD290XN,115 恩智浦 | 功能相似 | SI1902DL-T1-E3和PMGD290XN,115的区别 |