FDG6317NZ和SI1902DL-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDG6317NZ SI1902DL-T1-E3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6317NZ  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1.2 VVISHAY  SI1902DL-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 20 V, 0.32 ohm, 4.5 V, 1.5 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SC-70-6 SC-70

针脚数 6 6

漏源极电阻 0.3 Ω 0.32 Ω

极性 Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 300 mW 200 mW

阈值电压 1.2 V 1.5 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

漏源击穿电压 20.0 V 20 V

栅源击穿电压 ±12.0 V ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) 700 mA 660 mA

上升时间 7 ns 16 ns

热阻 - 400℃/W (RθJA)

下降时间 2.5 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.3 W 270 mW

额定电压(DC) 20.0 V -

额定电流 700 mA -

输入电容 66.5 pF -

栅电荷 760 pC -

输入电容(Ciss) 66.5pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) 300 mW -

长度 2 mm 2.2 mm

高度 1 mm 1 mm

封装 SC-70-6 SC-70

宽度 1.25 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active -

最小包装 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 -

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