SH8J62TB1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SH8J62TB1概述

二极管与整流器

二极管与整流器

得捷:
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SOP8

立创商城:
SH8J62TB1

贸泽:
MOSFET Pch+Pch -30V -4.5A MOSFET

安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V ±4.5A 8-Pin SOP T/R

DeviceMart:
MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A SOP8

Win Source:
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SOP8

SH8J62TB1中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 60 mΩ

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 800pF @10VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SH8J62TB1引脚图与封装图

SH8J62TB1引脚图

SH8J62TB1封装图

SH8J62TB1封装焊盘图

在线购买SH8J62TB1

型号： SH8J62TB1

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：二极管与整流器