SI1926DL-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 1.4 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 510 mW
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 18.5pF @30VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-363
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买SI1926DL-T1-E3
型号： SI1926DL-T1-E3
描述：双N通道60 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 60-V D-S MOSFET
替代型号SI1926DL-T1-E3
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