2N7002BKS和SI1926DL-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002BKS SI1926DL-T1-E3

描述 N 通道 MOSFET,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors双N通道60 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 6 6

封装 SOT-363 SOT-363

安装方式 Surface Mount -

漏源极电阻 1 Ω 1.4 Ω

极性 N-Channel Dual N-Channel

耗散功率 295 mW 510 mW

阈值电压 1.6 V 2.5 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

上升时间 - 12 ns

输入电容(Ciss) 33pF @10V(Vds) 18.5pF @30V(Vds)

下降时间 - 14 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.445 W 300 mW

针脚数 6 -

高度 1 mm 1 mm

封装 SOT-363 SOT-363

长度 2.2 mm -

宽度 1.35 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC -

香港进出口证 NLR -

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