SI6926ADQ-T1-E3

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SI6926ADQ-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

额定功率 830 mW

漏源极电阻 0.03 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 830 mW

阈值电压 400 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 830 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TSSOP

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6926ADQ-T1-E3
型号: SI6926ADQ-T1-E3
描述:双N沟道2.5 V G -S MOSFET Dual N-Channel 2.5-V G-S MOSFET

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