SIA910EDJ-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIA910EDJ-T1-GE3概述

VISHAY SIA910EDJ-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 12 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV

The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for load switch for portable and high frequency DC-to-DC converter applications.

.: Halogen-free

.: TrenchFET® power MOSFET

.: Thermally enhanced PowerPAK® package

.: Small footprint

.: Low ON-resistance

.: Typical ESD protection

.: 100% Rg tested

SIA910EDJ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.023 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 7.8 W

阈值电压 400 mV

漏源极电压Vds 12 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 455pF @6VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1900 mW

封装参数

引脚数 6

封装 PowerPAK-SC70-6

外形尺寸

长度 2.05 mm

宽度 2.05 mm

高度 0.75 mm

封装 PowerPAK-SC70-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Portable Devices, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA910EDJ-T1-GE3

型号： SIA910EDJ-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SIA910EDJ-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 12 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV

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