对比图
型号 SIA910EDJ-T1-GE3 SIA912DJ-T1-GE3
描述 VISHAY SIA910EDJ-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 12 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mVMOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
引脚数 6 6
封装 PowerPAK-SC70-6 SC-70
针脚数 6 -
漏源极电阻 0.023 Ω 0.063 Ω
极性 Dual N-Channel N-Channel
耗散功率 7.8 W 1.9 W
阈值电压 400 mV 1 V
漏源极电压(Vds) 12 V 12 V
上升时间 12 ns -
输入电容(Ciss) 455pF @6V(Vds) -
下降时间 12 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1900 mW -
连续漏极电流(Ids) - 4.50 A
长度 2.05 mm -
宽度 2.05 mm -
高度 0.75 mm -
封装 PowerPAK-SC70-6 SC-70
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free