SI4559ADY-T1-E3

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SI4559ADY-T1-E3概述

VISHAY  SI4559ADY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道 与 P 通道, 60V, 0.046Ω

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


e络盟:
VISHAY  SI4559ADY-T1-E3  NPN/PNP MOSFET, 60V, SOIC


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R


Allied Electronics:
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC


富昌:
双 N & P沟道 60 V 0.058/0.12 Ohm 表面贴装 TrenchFET 功率 Mosfet - SOIC-8


Newark:
# VISHAY  SI4559ADY-T1-E3  Dual MOSFET, N and P Channel, 5.3 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 1 V


SI4559ADY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.046 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

高度 1.55 mm

封装 SOIC

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4559ADY-T1-E3
型号: SI4559ADY-T1-E3
描述:VISHAY  SI4559ADY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道 与 P 通道, 60V, 0.046Ω

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