SI7272DP-T1-GE3

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SI7272DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0076 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 22 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SI7272DP-T1-GE3
型号: SI7272DP-T1-GE3
描述:VISHAY SI7272DP-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 25A, 30V, 0.0076Ω, 10V, 1.2V
替代型号SI7272DP-T1-GE3
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