漏源极电阻 0.0076 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 22 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
工作温度Max 150 ℃
引脚数 8
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
数据手册
SI7272DP-T1-GE3
Vishay Semiconductor 威世
当前型号
SI7844DP-T1-E3
威世
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