对比图
型号 SI7272DP-T1-GE3 SI7844DP-T1-E3
描述 VISHAY SI7272DP-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 25A, 30V, 0.0076Ω, 10V, 1.2VVISHAY SI7844DP-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 10 A, 30 V, 22 mohm, 10 V, 2.4 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 8 8
封装 - SOIC-8
针脚数 - 8
漏源极电阻 0.0076 Ω 0.022 Ω
极性 Dual N-Channel Dual N-Channel
耗散功率 22 W 1.4 W
阈值电压 2.5 V 2.4 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 10.0 A
热阻 - 60℃/W (RθJA)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
长度 - 5.99 mm
高度 - 1.07 mm
封装 - SOIC-8
工作温度 - -55℃ ~ 150℃
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15