SH8K41GZETB参数规格_中文资料_数据手册PDF

SH8K41GZETB概述

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.4 A, 80 V, 0.09 ohm, 10 V, 2.5 V

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 80V 3.4A 1.4W Surface Mount 8-SOP

立创商城:
SH8K41GZETB

得捷:
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP

e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, 表面安装

SH8K41GZETB中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.09 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 3.4A

输入电容Ciss 600pF @10VVds

额定功率Max 1.4 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SH8K41GZETB引脚图与封装图

在线购买SH8K41GZETB

型号： SH8K41GZETB

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.4 A, 80 V, 0.09 ohm, 10 V, 2.5 V