SI7994DP-T1-GE3

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SI7994DP-T1-GE3概述

VISHAY  SI7994DP-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60 A, 30 V, 0.0046 ohm, 10 V, 3 V

The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for system power DC-to-DC conversion, notebook and server applications.

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Halogen-free
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TrenchFET® power MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
Si7994DP Series Dual N-Channel 30 V 56 mOhm SMT Power Mosfet - PowerPAK-SO-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Newark:
# VISHAY  SI7994DP-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 60 A, 30 V, 0.0046 ohm, 10 V, 1 V


力源芯城:
30V,60A,双N沟道功率MOSFET


SI7994DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0046 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 3.5 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 3500pF @15VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3500 mW

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7994DP-T1-GE3
型号: SI7994DP-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7994DP-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60 A, 30 V, 0.0046 ohm, 10 V, 3 V

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