VISHAY SI7994DP-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60 A, 30 V, 0.0046 ohm, 10 V, 3 V
The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for system power DC-to-DC conversion, notebook and server applications.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R
富昌:
Si7994DP Series Dual N-Channel 30 V 56 mOhm SMT Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Newark:
# VISHAY SI7994DP-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 60 A, 30 V, 0.0046 ohm, 10 V, 1 V
力源芯城:
30V,60A,双N沟道功率MOSFET
针脚数 8
漏源极电阻 0.0046 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 3.5 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 3500pF @15VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3500 mW
引脚数 8
封装 SOIC
高度 1.04 mm
封装 SOIC
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15