SI7216DN-T1-E3

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SI7216DN-T1-E3概述

VISHAY  SI7216DN-T1-E3  晶体管, 双N沟道

* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available * TrenchFET® Power MOSFET * Low Thermal Resistance PowerPAK® Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile * 100 % Rg and UIS tested * Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 6.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 6.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


富昌:
双 N沟道 30 V 0.04 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - PowerPAK 1212-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 6.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


Newark:
# VISHAY  SI7216DN-T1-E3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 6 A, 40 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V


SI7216DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.039 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

输入电容Ciss 670pF @20VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 1212

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7216DN-T1-E3
型号: SI7216DN-T1-E3
描述:VISHAY  SI7216DN-T1-E3  晶体管, 双N沟道
替代型号SI7216DN-T1-E3
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