对比图
型号 SI7216DN-T1-E3 SI7216DN-T1-GE3
描述 VISHAY SI7216DN-T1-E3 晶体管, 双N沟道双N通道40 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
引脚数 8 8
封装 1212 1212
针脚数 8 -
漏源极电阻 0.039 Ω 0.025 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W
阈值电压 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 6.00 A 6.00 A, 5.00 A
输入电容(Ciss) 670pF @20V(Vds) -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -50 ℃ -
耗散功率(Max) 2500 mW -
高度 1.04 mm -
封装 1212 1212
工作温度 -50℃ ~ 150℃ -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99