SI5908DC-T1-GE3

SI5908DC-T1-GE3图片1
SI5908DC-T1-GE3图片2
SI5908DC-T1-GE3图片3
SI5908DC-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

阈值电压 1 V

上升时间 36 ns

下降时间 12 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 1.6 mm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5908DC-T1-GE3
型号: SI5908DC-T1-GE3
描述:20V,5.9A,双N沟道MOSFET

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司